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BIP-FETS FET測定装置
電界効果トランジスタの特性を評価する装置です。2つのソースメータから試料にソース(VS)-ドレイン(VD)間電圧、ソース(VS)-ゲート(VG)電圧を印加します。
ドレイン電流を計測し、ID– VSD特性測定やID-VSG特性測定を行うことが出来ます。測定したデータから、移動度、しきい値電圧を算出することが出来ます。
また、ドレイン電流のオンオフ比も算出します。
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カタログ(PDF) |
特長
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電界効果トランジスタの特性を評価する装置です。
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測定したデータから、移動度、しきい値電圧を算出することが出来ます。
ソフトウェア画面
仕様
測定対象試料 | FET(トップコンタクトなど) |
印加電圧制御 | ソース-ドレイン間電圧、ソース-ゲート間電圧 |
印加電圧範囲 | 0~±200V |
最小印加電圧 | ±10µV |
印加電圧間隔 | 0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1/2/5/10V |
計測電流 | ドレイン電流 |
最小計測電流 | ±10pA |
ソフトウェア機能 |
移動度算出機能 ID– VD特性プロット、ID-VG特性プロット |
データ保存機能 | テキスト保存 |
標準構成
●ソースメータ 2台
●試料室
●テフロン試料台
●全体架台
●プローブ 3個
●ノート型コンピュータ
●FET測定用ソフトウェア
●取扱説明書
外形寸法
●本体: 約W700×D600×H1150mm
*突起部を除く*
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