半導体材料評価装置
さまざまな測定法を用い、半導体材料の評価を行う装置をラインナップしております。
BIP-KV100 イオン化エネルギー測定装置(9.54~4.0eV 卓上型タイプ)
測定法 |
光電子収量分光法(PYS法) 単色光を試料に照射し、そこから放出される光電子の収量を電流として測定し、励起単色光の波長を掃引して光電子の収量の変化からイオン化エネルギーを検出します。 |
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試料雰囲気を大気、窒素、真空下でイオン化エネルギー(仕事関数)を測定する装置です。
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分光器および光学系を窒素パージタイプにすることで、最大9.54eV迄の真空紫外光を試料に照射することが出来ます。
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コンパクトな卓上型になりました。
BIP-KV201 イオン化エネルギー測定装置(9.54~4.0eV 床置き架台タイプ)
測定法 |
光電子収量分光法(PYS法) 単色光を試料に照射し、そこから放出される光電子の収量を電流として測定し、励起単色光の波長を掃引して光電子の収量の変化からイオン化エネルギーを検出します。 |
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試料雰囲気を大気、窒素、真空下でイオン化エネルギー(仕事関数)を測定する装置です。
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分光器および光学系を窒素パージタイプにすることで、最大9.54eV迄の真空紫外光を試料に照射することが出来ます。
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オプションでグローブBOXを追加する事が可能です。
BIP-M25 イオン化エネルギー測定装置(6.2~3.1eV 床置き架台タイプ)
測定法 |
光電子収量分光法(PYS法) 単色光を試料に照射し、そこから放出される光電子の収量を電流として測定し、励起単色光の波長を掃引して光電子の収量の変化からイオン化エネルギーを検出します。 |
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試料雰囲気を大気、窒素、真空下でイオン化エネルギー(仕事関数)を測定する装置です。
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測定領域を6.2~3.1eVに限定することで、低価格を実現しました。
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微小電流計を使用し、高感度を実現しました。
LBC-2 レーザー光誘起電流測定装置
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レーザー光を太陽電池などの試料に照射し、XYステージで移動させることで光電流マッピングを行う装置です。
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ペロブスカイト太陽電池の均一性評価に最適です。
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520nmレーザーを搭載し、空間分解能約10μmを達成し、最大50×50mmのサンプルまで測定可能です。
BIP-FETS FET測定装置
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電界効果トランジスタの特性を評価する装置です。
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測定したデータから、移動度、しきい値電圧を算出することが出来ます。
CMM-250 キャリア移動度測定装置
測定法 |
タイムオブフライト法(TOF法) 有機EL材料や有機太陽電池材料などの試料にレーザ光を照射し、発生したキャリアが薄膜内をドリフトする移動度等を高速に測定します。 |
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薄膜評価における電子やホールの移動度を測定出来ます。
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時間分解10n秒を達成。
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10-7~10-3cm2/V.secの移動度測定が行えます。
SGA-25 サブギャップ光吸収スペクトル測定システム
測定法 |
一定光電流法(CPM法) 単色光をサンプルに照射し、その光電流が各波長で一定になるように光量コントロールし、照射光量値より吸収係数を演算で求めます。 |
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半導体薄膜や各種光伝導材料のバンドギャップ構造を解析できます。
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吸収係数測定範囲は6桁とダイナミックレンジが広いです。
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リアルタイムで光量を制御していますので、測定再現性に優れています。